Disco duro interno solido ssd samsung 990 pro heatsink 4tb pcie 4.0 nvme
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Ciudad:
Málaga
Disco duro interno solido ssd samsung 990 pro heatsink 4tb pcie 4.0 nvme.
características
- memoria de almacenamiento: samsung v - nand tlc
- controller: samsung in - house controller
- memoria caché: samsung 4gb low power ddr4 sdram
- soporte trim
- soporte s.m.a.r.t
- gc (garbage collectión): auto garbage collectión algorithm
- encriptación: aes 256 - bit encryptión (class 0)tcg - opal ieee1667 (encrypted drive)
- soporte modo suspensión en dispositivo
- lectura secuencial: 7 -450 mb - s
- escritura secuencial: 6 -900 mb - s
- lectura aleatoria (4kb - qd32): 1 -600 -000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd32): 1 -550 -000 iops
- lectura aleatoria (4kb - qd1): 22 -000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd1): 80 -000 iops
entorno
- consumo energético medio: 6.5 - 8.6 w
- consumo energético (idle): max. 55 mw
- voltaje soportado: 3.3 v 5 %
- durabilidad (mtbf): 1.5 millión hours reliability (mtbf)
- temperatura: 0 - 70ºc
- golpes: 1 -500 g & 0.5 ms
dimensiónes y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
características
- memoria de almacenamiento: samsung v - nand tlc
- controller: samsung in - house controller
- memoria caché: samsung 4gb low power ddr4 sdram
- soporte trim
- soporte s.m.a.r.t
- gc (garbage collectión): auto garbage collectión algorithm
- encriptación: aes 256 - bit encryptión (class 0)tcg - opal ieee1667 (encrypted drive)
- soporte modo suspensión en dispositivo
- lectura secuencial: 7 -450 mb - s
- escritura secuencial: 6 -900 mb - s
- lectura aleatoria (4kb - qd32): 1 -600 -000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd32): 1 -550 -000 iops
- lectura aleatoria (4kb - qd1): 22 -000 iops
- escritura aleatoria (4kb - qd1): 80 -000 iops
entorno
- consumo energético medio: 6.5 - 8.6 w
- consumo energético (idle): max. 55 mw
- voltaje soportado: 3.3 v 5 %
- durabilidad (mtbf): 1.5 millión hours reliability (mtbf)
- temperatura: 0 - 70ºc
- golpes: 1 -500 g & 0.5 ms
dimensiónes y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
Marca
Samsung
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